高純金屬濺射靶材
廣(guang)泛應用(yong)於半導體、平麵顯示、太陽能電池、光學元器件、工(gong)具改性等領(ling)域。其中半導體集成電路對於靶材的要求最高,對材料的純度、缺陷率、組織性能以及一(yi)致性、穩定性等要求極其嚴(yan)苛(ke)。集成電路製造(zao)所需主要產品有高純Cu及Cu合金、Al及Al合金、Ta、Ti、Co、W、WTi、Au、Ag、NiPt、NiV、AlSc等靶材;Ti Coil、Ta Coil和Cu Coil等靶材配套環(huan)件;CuP、Co等陽極等。有研億金是全球屈(qu)指可數(shu)具備從(cong)高純原(yuan)材料提(ti)純到全譜係靶材產品垂(chui)直一(yi)體化研發(fa)、生產能力的產業化平台,研製生產的8 -12英寸多品類(lei)超高純金屬及合金靶材各項(xiang)性能指標均已(yi)達(da)到國際(ji)領(ling)先標準。